NGTB40N65FL2WG-HXY_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數1：電流IC:40A 參數2：電壓VCE:650V 參數3：VCE(Sat):1.6V 參數4：二極管正向電流:1.8A 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本IGBT管/模塊具備40A的集電極電流（Ic）和650V的集射極擊穿電壓（Vces），適用于中高功率電力轉換與控制場景。其集射極飽和電壓（VCE(sat)）為1.6V，在導通狀態(tài)下可有效降低損耗，提升系統效率。內置二極管支持40A正向電流（IF），正向壓降（Vf）為1.8V，具備良好的熱穩(wěn)定性和可靠性。該器件適合對能效、運行穩(wěn)定性及安裝空間有較高要求的多樣化應用環(huán)境，滿足復雜工況下的長期使用需求。
