RJH1CV7DPQ-HXY_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流IC:40A 參數(shù)2：電壓VCE:1200V 參數(shù)3：VCE(Sat):1.7V 參數(shù)4：二極管正向電流:1.85A 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該IGBT模塊具備40A的集電極電流（Ic）和1200V的集射極擊穿電壓（Vces），可適應(yīng)較高功率密度的設(shè)計(jì)需求。其集射極飽和電壓（VCE(sat)）為1.7V，有助于降低導(dǎo)通狀態(tài)下的功率損耗。內(nèi)部續(xù)流二極管支持40A正向電流（IF），正向壓降（Vf）為1.85V，提升了整體能效與可靠性。適用于多種電力電子變換系統(tǒng)，滿足高效、穩(wěn)定工作的技術(shù)要求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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