IXGH40N120B2D1-HXY_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數1：電流IC:40A 參數2：電壓VCE:1200V 參數3：VCE(Sat):1.9V 參數4：二極管正向電流:2.5A 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為IGBT管/模塊，具備40A的集電極電流（Ic）和1200V的集射極擊穿電壓（Vces），適用于高電壓與大電流工作環境。其集射極飽和電壓（VCE(sat)）為1.9V，有效降低導通損耗，提高系統效率。內置二極管可支持40A的正向電流（IF），正向壓降（Vf）為2.5V，具備良好的熱穩定性和響應特性。該器件適合用于需要高頻開關、功率控制精度高的應用場景，如電源變換、智能電網及高性能電機驅動等場合。
