APT45GP120B2DQ2G-HXY_TO-247P_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247P 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數1：電流IC:50A 參數2：電壓VCE:1200V 參數3：VCE(Sat):1.9V 參數4：二極管正向電流:2.7A 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本IGBT管/模塊具有50A的集電極電流（Ic）和1200V的集射極擊穿電壓（Vces），適用于中高功率應用場景。導通狀態下，集射極飽和電壓（VCE(sat)）為1.9V，有助于提升系統整體效率。內置二極管可承受50A的正向電流（IF），其正向壓降（Vf）為2.7V，具備良好的導通特性與穩定性。該器件適合用于電源變換設備、高效能電機控制電路以及高頻電力電子系統，滿足對開關性能與耐壓能力有較高要求的設計需求。
