AOK40B65M3_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數1：電流IC:40A 參數2：電壓VCE:650V 參數3：VCE(Sat):1.6V 參數4：二極管正向電流:1.8A 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本IGBT管/模塊具備40A的集電極電流（Ic）和650V的集射極擊穿電壓（Vces），適用于中高功率電力電子系統。導通狀態下，集射極飽和電壓（VCE(sat)）為1.6V，有助于降低損耗并提升能效。內置二極管可承受40A的正向電流（IF），其正向壓降（Vf）為1.8V，表現出良好的熱穩定性和導通一致性。該器件適合用于電源轉換、精密控制等電路設計，支持高頻開關操作，滿足復雜場景對效率與穩定性的需求。
