YGW40N65F1A2_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數1：電流IC:40A 參數2：電壓VCE:650V 參數3：VCE(Sat):1.6V 參數4：二極管正向電流:1.8A 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本IGBT管/模塊具備40A集電極電流（Ic）和650V集射極擊穿電壓（Vces），適用于中高功率應用場景。導通狀態下，集射極飽和電壓（VCE(sat)）為1.6V，有助于降低能耗并提升效率。內置二極管支持40A正向電流（IF），其正向壓降（Vf）為1.8V，表現出良好的導通特性。該器件可應用于電力變換、節能設備及精密控制電路中，提供高效、穩定的工作表現，滿足多樣化電子系統設計需求。
