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AOK40B65H2AL_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-247 類(lèi)別：IGBT管/模塊最小包裝：30/管裝參數(shù)1：電流IC:40A 參數(shù)2：電壓VCE:650V 參數(shù)3：VCE(Sat):1.6V 參數(shù)4：二極管正向電流:1.8A 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)

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產(chǎn)品介紹

該IGBT模塊具備40A集電極電流（Ic）和650V集射極擊穿電壓（Vces），適用于多種中高功率電子系統(tǒng)。其1.6V的集射極飽和電壓（VCE(sat)）有效降低導(dǎo)通損耗，提升整體效率。內(nèi)置二極管支持40A正向電流（IF），正向壓降（Vf）為1.8V，確保穩(wěn)定可靠的續(xù)流性能。模塊設(shè)計(jì)注重?zé)峁芾砼c集成便利性，廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)及智能電網(wǎng)等高性能場(chǎng)景。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話(huà)：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

AOK40B65H2AL_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-247 類(lèi)別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流IC:40A 參數(shù)2：電壓VCE:650V 參數(shù)3：VCE(Sat):1.6V 參數(shù)4：二極管正向電流:1.8A 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-247 類(lèi)別：IGBT管/模塊最小包裝：30/管裝參數(shù)1：電流IC:40A 參數(shù)2：電壓VCE:650V 參數(shù)3：VCE(Sat):1.6V 參數(shù)4：二極管正向電流:1.8A 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)