IKW40N120CS6-HXY_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流IC:40A 參數(shù)2：電壓VCE:1200V 參數(shù)3：VCE(Sat):1.7V 參數(shù)4：二極管正向電流:1.85A 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本產(chǎn)品為IGBT模塊，具備40A的集電極電流(Ic)和1200V的集射極擊穿電壓(Vces)，適合高電壓和較高電流環(huán)境下運(yùn)行。在導(dǎo)通狀態(tài)下，集射極飽和電壓(VCE(sat))低至1.7V，有助于降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率。內(nèi)置二極管可承受40A的正向電流(IF)，其正向壓降(Vf)為1.85V，可在高頻開關(guān)和整流應(yīng)用中提供穩(wěn)定性能。該模塊適用于需要高效能、高可靠性的電力電子設(shè)備設(shè)計(jì)，如智能電網(wǎng)、新能源變換裝置及精密電機(jī)控制等領(lǐng)域。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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