LESD8L3.3CT5G_DFN1006-2L_靜電和浪涌保護(TVS/ESD)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN1006-2L 類別：靜電和浪涌保護(TVS/ESD) 最小包裝：10000/圓盤 參數1：電流Ipp:4A 參數2：電壓VRWM:3.3V 參數3：CJ:0.25pF 參數4：類型:Bi雙向 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該靜電和浪涌保護器件具備4A的峰值脈沖電流（IPP）能力，有效抑制瞬態過電壓，保障電路安全。其反向工作電壓為3.3V（VRWM），適用于低電壓信號線路的防護需求。器件內部結電容僅為0.25pF，確保高速信號傳輸過程中不會引入明顯干擾。采用單通道（LINE:1通道）雙向（Bi-directional）設計，兼容雙向信號線路保護場景，廣泛應用于通信設備、便攜式電子產品及精密電子儀器中，為敏感電路提供可靠防護。
