LESD8L5.0CT5G_DFN1006-2L_靜電和浪涌保護(TVS/ESD)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN1006-2L 類別：靜電和浪涌保護(TVS/ESD) 最小包裝：10000/圓盤 參數1：電流Ipp:3A 參數2：電壓VRWM:5V 參數3：CJ:0.6pF 參數4：類型:Bi雙向 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
此款靜電和浪涌保護器件，設計用于提供精準的瞬態電壓抑制（TVS）及靜電釋放（ESD）保護。其最大脈沖峰值電流IPP可達3安培，確保在遭遇突然的電壓尖峰時能夠有效分流多余電流。擊穿電壓VRWM為5伏特，適合應用于需要穩定低壓保護的電路中。結電容CJ僅為0.6皮法，有助于維持信號完整性，特別適用于高速數據線或敏感電子接口的保護。作為一款單通道、雙向（Bi-directional）保護元件，它可以在正反兩個方向上對瞬態過電壓進行鉗位，從而保護連接設備免受損害。該器件憑借其緊湊的設計和高效能，是現代電子產品設計中的理想選擇。
