PESD5V0U1BL-N_DFN1006-2L_靜電和浪涌保護(TVS/ESD)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN1006-2L 類別：靜電和浪涌保護(TVS/ESD) 最小包裝：10000/圓盤 參數(shù)1：電流Ipp:2.5A 參數(shù)2：電壓VRWM:5V 參數(shù)3：CJ:2.5pF 參數(shù)4：類型:Bi雙向 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該靜電和浪涌保護器件采用Bi雙向設計，適用于對瞬態(tài)電壓抑制有嚴格要求的場合。其IPP/A（峰值脈沖電流）為2.5A，能夠有效應對突發(fā)的高能沖擊；VRWM/V（工作電壓）設定為5V，確保在正常工作狀態(tài)下穩(wěn)定運行；CJ/pF（結電容）僅為2.5pF，表明它具有低寄生電容特性，適合于高速數(shù)據線路的保護。單線結構使其易于集成到各種電子設備中，提供可靠的過壓防護。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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