HXY40N02DF_DFN3X3-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:40A 參數(shù)2：VDSS:20V 參數(shù)3：RDON:6.3mR 參數(shù)4：VGS:20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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這是一款N溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET），具有30A的連續(xù)漏極電流（ID）和20V的漏源電壓（VDSS）額定值，適用于中等功率的電源開(kāi)關(guān)應(yīng)用。其低至6.3mΩ的導(dǎo)通電阻（RDON）有助于減少導(dǎo)通損耗，提升系統(tǒng)效率。柵源電壓（VGS）最大為±12V，支持標(biāo)準(zhǔn)邏輯電平驅(qū)動(dòng)，便于與控制電路配合使用。該器件適用于各類電源管理、直流-直流轉(zhuǎn)換、負(fù)載開(kāi)關(guān)及電池供電設(shè)備中的功率控制，是實(shí)現(xiàn)高效能電子開(kāi)關(guān)的常用選擇。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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