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FCPF220N80-HXY_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-220F 類別:碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝:50/管裝 參數1:ID:13.3A 參數2:VDSS:800V 參數3:RDON:200mR 參數4:VGS:VGS:-4/+18VV 標價:歡迎咨詢

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該N溝道碳化硅場效應管具備800V的漏源電壓(VDSS)和13.3A的連續漏極電流(ID),導通電阻低至200mΩ,適用于高效率功率轉換設計。柵源電壓范圍為-4V至!8V,支持穩定的開關操作。基于碳化硅材料的特性,器件具有優異的耐壓性能和熱穩定性,可有效降低開關損耗。典型應用包括高頻率直流-直流變換器、高壓電源模塊、可再生能源發電系統的逆變電路以及高密度電源適配器等,適合對功率密度和轉換效率有較高要求的場景。

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