IPA60R250CPXKSA1-HXY_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:20A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:160mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有650V的漏源擊穿電壓（VDSS）和20A的額定漏極電流（ID），導通電阻（RDON）為160mΩ，有助于降低導通損耗。柵源電壓（VGS）支持-5V至!6V范圍，確保器件在驅動信號下的可靠關斷與增強型開啟。采用碳化硅材料，具備優異的高溫穩定性和高頻開關能力，適用于高效率電源轉換拓撲，如圖騰柱PFC、同步整流及高功率密度開關電源模塊，有助于提升系統能效并減小散熱設計負擔。
