STF30N65M5-HXY_TO-220F_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:24A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:110mR 參數(shù)4：VGS:VGS:-4/+18VV 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
分享到
產(chǎn)品介紹
-------<點(diǎn)擊了解更多 + 購買>-------
該N溝道碳化硅場效應(yīng)管具備650V的漏源電壓（VDSS）和24A的連續(xù)漏極電流（ID），導(dǎo)通電阻低至110mΩ，適用于高效率功率轉(zhuǎn)換設(shè)計(jì)。柵源電壓范圍為-4V至!8V，確保可靠的開關(guān)控制與穩(wěn)定性。基于碳化硅材料的特性，器件具有優(yōu)異的高頻開關(guān)性能和高溫工作能力，可有效降低系統(tǒng)熱損耗。典型應(yīng)用包括高密度電源轉(zhuǎn)換器、可再生能源發(fā)電設(shè)備中的逆變電路、不間斷電源系統(tǒng)以及高要求的開關(guān)電源模塊，適合對功率密度和能效有嚴(yán)格要求的場景。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014
高新企業(yè)
