IPA65R110CFDXKSA1-HXY_TO-220F_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:24A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:110mR 參數(shù)4：VGS:VGS:-4/+18VV 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道碳化硅場效應(yīng)管具備650V的漏源電壓（VDSS）和24A的連續(xù)漏極電流（ID），導(dǎo)通電阻低至110mΩ，適用于高效率功率轉(zhuǎn)換設(shè)計。其柵源電壓范圍為-4V至!8V，確保了器件在復(fù)雜工況下的穩(wěn)定驅(qū)動與安全工作。采用寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)異的開關(guān)特性與高溫工作能力，可有效降低系統(tǒng)熱耗散負(fù)擔(dān)。典型應(yīng)用包括高密度電源轉(zhuǎn)換、高頻DC-DC變換器及高性能逆變模塊，適合對功率密度與能效有嚴(yán)苛要求的電力電子系統(tǒng)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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