SIHA21N80AE-GE3-HXY_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:13.3A 參數2：VDSS:800V 參數3：RDON:200mR 參數4：VGS:VGS:-4/+18VV 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道碳化硅MOSFET具有800V的漏源電壓（VDSS）和13.3A的連續漏極電流（ID），導通電阻低至200mΩ，可有效減少導通損耗。柵源電壓范圍為-4V至!8V，確保柵極驅動的穩定性與安全性。基于碳化硅材料的特性，器件具備出色的開關速度和熱導性能，適用于高頻率、高效率的電力轉換場景。典型應用包括大功率開關電源、高壓直流變換器、太陽能發電逆變單元、儲能系統的功率調節模塊以及高密度電源適配設備，適合在高電壓和高溫環境下長期穩定運行。
