STF20N65M5-HXY_TO-220F_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:20A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:160mR 參數(shù)4：VGS:-5~+16V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET具有650V漏源電壓（VDSS）和20A連續(xù)漏極電流（ID），導(dǎo)通電阻為160mΩ，支持-5V至!6V柵源電壓范圍，具備良好的電氣穩(wěn)定性與開關(guān)特性。采用碳化硅材料，顯著提升器件在高電壓、高頻率工作條件下的效率與熱性能。適用于高效能電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)，如大功率開關(guān)電源、光伏逆變裝置、儲(chǔ)能系統(tǒng)中的能量管理模塊以及高密度DC-DC變換器。其低導(dǎo)通損耗與快速響應(yīng)能力有助于優(yōu)化電路設(shè)計(jì)，提高系統(tǒng)整體功率密度與運(yùn)行可靠性。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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