STF18N65DM2-HXY_TO-220F_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:20A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:160mR 參數(shù)4：VGS:-5~+16V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本款N溝道碳化硅MOSFET具備650V漏源電壓（VDSS）和20A連續(xù)漏極電流（ID）能力，導(dǎo)通電阻低至160mΩ，可有效降低導(dǎo)通損耗。柵源電壓范圍為-5V至!6V，支持標(biāo)準(zhǔn)驅(qū)動(dòng)電路，確保開關(guān)穩(wěn)定性。依托碳化硅材料的高臨界電場與高熱導(dǎo)率特性，器件在高頻、高壓工作條件下仍能保持優(yōu)異的開關(guān)性能與熱可靠性。適用于高功率密度電源系統(tǒng)，如高效開關(guān)電源、高壓直流變換模塊及可再生能源發(fā)電設(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換單元，有助于提升系統(tǒng)整體能效并減小散熱設(shè)計(jì)復(fù)雜度。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014
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