FCPF250N65S3L1-F154-HXY_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:20A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:160mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道碳化硅MOSFET具有650V漏源電壓（VDSS）和20A連續漏極電流（ID），導通電阻低至160mΩ，有助于減少導通損耗并提升系統效率。柵源電壓范圍為-5V至!6V，兼容常規驅動電路，確保開關動作的穩定性。碳化硅材料賦予器件優異的高溫工作性能、快速開關能力及較低的開關損耗，適用于高頻率、高效率的電力轉換拓撲。典型應用包括高效電源模塊、可再生能源逆變系統、數據中心供電單元及高密度功率轉換設備等對熱性能與電氣性能要求較高的場景。
