TK22A65X,S5X_TO-220F_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:24A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:110mR 參數(shù)4：VGS:VGS:-4/+18VV 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET具有650V的漏源耐壓（VDSS）和24A的連續(xù)漏極電流（ID）能力，導(dǎo)通電阻（RDS(on)）為110mΩ，有助于減少導(dǎo)通損耗并提升系統(tǒng)效率。柵源電壓（VGS）支持-4V至!8V范圍，確保驅(qū)動(dòng)穩(wěn)定性與器件可靠性。基于碳化硅材料特性，該器件具備優(yōu)異的高頻開(kāi)關(guān)性能、高溫工作能力及反向恢復(fù)特性。適用于高效率DC-DC變換器、大功率AC-DC電源模塊、可再生能源發(fā)電逆變單元以及高功率密度電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中的主開(kāi)關(guān)元件。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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