R6515ENXC7G-HXY_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:15A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:260mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有650V的漏源擊穿電壓（VDSS）和15A的連續漏極電流（ID），導通電阻（RDON）為260mΩ，在高溫與高電壓工況下仍能保持優異的導通性能。柵源電壓范圍-5V至!6V，支持標準驅動電路兼容。基于碳化硅材料的特性，器件具備低開關損耗、高工作頻率和良好熱穩定性，適用于高效率電源轉換系統，如大功率開關電源、直流變換模塊、可再生能源發電逆變裝置及高功率密度電源單元，有助于提升系統能效并減少散熱需求。
