IPP65R190C6XKSA1-HXY_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:20A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:160mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道碳化硅場效應管具有650V漏源電壓（VDSS）和20A連續漏極電流（ID），導通電阻（RDS(on)）為160mΩ，有助于降低導通損耗并提升系統效率。柵源電壓范圍-5V至!6V，支持穩定的驅動控制與過壓保護。依托碳化硅材料的高臨界電場和熱導率特性，該器件具備優異的高溫工作穩定性與高頻開關能力，適用于高功率密度的電源系統，如高效AC-DC電源、DC-DC變換器及光伏逆變模塊，滿足對能效與散熱性能要求較高的電力電子設計需求。
