IPD80R280P7ATMA1-HXY_TO-252-2L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:14.3A 參數2：VDSS:800V 參數3：RDON:230mR 參數4：VGS:VGS:-4/+18VV 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅場效應管具備800V的漏源電壓（VDSS）和14.3A的連續漏極電流（ID），導通電阻為230mΩ，適用于高電壓、高效率的開關應用。柵源電壓范圍為-4V至!8V，支持穩定的柵極驅動控制。采用碳化硅材料，顯著提升器件的耐壓能力與開關速度，同時降低導通與開關損耗。其特性適合用于高壓電源轉換、可再生能源發電系統、不間斷電源（UPS）以及高功率密度DC-DC變換器等場景，尤其在需要提升能效和熱管理性能的系統中表現出色。
