STD16N65M5-HXY_TO-252-2L_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類(lèi)別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤(pán) 參數(shù)1：ID:20A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:160mR 參數(shù)4：VGS:-5~+16V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET具有650V的漏源擊穿電壓（VDSS）和20A的連續(xù)漏極電流（ID），導(dǎo)通電阻（RDON）低至160mΩ，可有效降低導(dǎo)通損耗。柵源電壓范圍為-5V至!6V，支持穩(wěn)定可靠的柵極驅(qū)動(dòng)控制。基于碳化硅材料的優(yōu)異特性，器件具備高耐溫能力、快速開(kāi)關(guān)響應(yīng)和高耐壓性能，適用于高頻率、高效率的電力轉(zhuǎn)換場(chǎng)景。典型應(yīng)用包括高性能電源適配器、可再生能源發(fā)電系統(tǒng)中的逆變單元、儲(chǔ)能系統(tǒng)的功率調(diào)節(jié)模塊以及高密度開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)，有助于提升轉(zhuǎn)換效率并減少系統(tǒng)熱耗。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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