IPAN60R125PFD7SXKSA1-HXY_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:24A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:110mR 參數4：VGS:VGS:-4/+18VV 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道碳化硅MOSFET具有650V的漏源電壓（VDSS）和24A的連續漏極電流（ID），導通電阻（RDS(on)）為110mΩ，有助于減少導通損耗并提升系統效率。柵源電壓范圍為-4V至!8V，支持穩定可靠的驅動控制。得益于碳化硅材料特性，器件具備優異的高溫工作性能、高開關頻率能力及較低的反向恢復電荷，適用于高功率密度與高能效要求的電力電子設計。典型應用涵蓋高效電源轉換模塊、高壓直流變換裝置及可再生能源發電系統中的功率調節單元。
