R6524KNXC7G-HXY_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:20A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:160mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道碳化硅場效應管具有650V漏源電壓（VDSS）和20A連續漏極電流（ID），導通電阻為160mΩ，可有效降低導通損耗，提升系統效率。柵源電壓范圍為-5V至!6V，支持穩定可靠的柵極驅動控制。基于碳化硅材料特性，該器件具備優異的高頻開關能力、高溫工作穩定性及較低的開關損耗。適用于高效率開關電源、高壓直流變換裝置、可再生能源發電逆變單元及高功率密度電源系統，尤其適合對熱管理性能和能量轉換效率有較高要求的電力電子設計場景。
