PCDB0665G1_R2_00001_TO-263N_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-263N 類別：碳化硅二極管 最小包裝：800/圓盤 參數(shù)1：IF:6A 參數(shù)2：VR:650V 參數(shù)3：VF:1.36V 參數(shù)4：二極管配置:獨(dú)立式 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該碳化硅二極管為獨(dú)立式器件，具備6A的正向電流（IF）和650V的反向重復(fù)峰值電壓（VR），適用于中高壓功率轉(zhuǎn)換場(chǎng)合。其正向?qū)▔航担╒F）為1.36V，在導(dǎo)通狀態(tài)下能量損耗較低，有助于提升系統(tǒng)效率。采用碳化硅材料，具備優(yōu)異的高頻開關(guān)特性和高溫工作穩(wěn)定性，反向恢復(fù)特性接近理想狀態(tài)，可有效減少開關(guān)損耗。適用于高頻率、高效率要求的電源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，如高效AC-DC、DC-DC轉(zhuǎn)換器、服務(wù)器電源及可再生能源發(fā)電系統(tǒng)中的功率整流環(huán)節(jié)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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