AOTF11S65L_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:15A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:260mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道碳化硅MOSFET具有650V的漏源電壓（VDSS）和15A的連續漏極電流（ID），導通電阻（RDON）為260mΩ，有助于減少導通損耗并提升能效。柵源電壓范圍為-5V至!6V，支持穩定的柵極驅動控制。依托碳化硅材料的高擊穿場強與優良熱導率，該器件可在較高結溫下可靠運行，具備優異的開關特性與耐壓能力。適用于高頻率、高效率的電力轉換應用，如不間斷電源、高壓直流變換器、太陽能發電系統中的功率模塊以及緊湊型高功率電源裝置。
