NTPF250N65S3H-HXY_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:20A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:160mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有650V漏源耐壓（VDSS）和20A連續漏極電流（ID）能力，導通電阻低至160mΩ，可有效降低導通損耗，提升系統效率。柵源電壓范圍為-5V至!6V，兼容常規驅動電路，確保柵極控制的穩定性。基于碳化硅材料特性，器件具備優異的開關性能、高溫工作能力及抗輻射性能。適用于高功率密度電源系統，如大功率開關電源、高效DC-DC轉換模塊、不間斷電源（UPS）、通信電源及可再生能源發電中的逆變與轉換電路。
