YJD212025NCTGH_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:80A 參數2：VDSS:1200V 參數3：RDON:25mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為1200V碳化硅N溝道場效應晶體管（MOSFET），具備高耐壓與低導通電阻特性。最大漏極電流ID可達80A，導通電阻RD(ON)低至25mΩ，顯著降低導通損耗，提升系統能效。采用碳化硅材料，具備優異的高溫穩定性與開關性能，適用于高頻率電源變換、綠色能源系統、智能電力調控及高效電機控制等應用。器件設計優化，具備良好的熱穩定性和可靠性，滿足高性能電力電子系統對效率與緊湊設計的需求。
