GC2M0025120D_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:80A 參數2：VDSS:1200V 參數3：RDON:25mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為1200V高壓碳化硅N溝道場效應晶體管（MOSFET），具備優異的導通與開關性能。其最大漏極電流ID為80A，導通電阻RDON低至25毫歐，可實現高效、低損耗的功率轉換。采用碳化硅材料，器件具有更高的熱穩定性和耐高壓能力，適用于高頻率、高效率的電源變換系統。該MOSFET適合應用于能源、交通、智能電網、高性能計算設備等領域的功率因數校正（PFC）、DC-DC轉換器及逆變器電路中，為復雜工況下的電力電子系統提供可靠支持。
