STFH18N60M2-HXY_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:20A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:160mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅場效應管具有650V的漏源電壓（VDSS）和20A的連續漏極電流（ID），導通電阻低至160mΩ，適用于高效率功率轉換設計。其柵源電壓范圍為-5V至!6V，具備良好的柵極控制特性與開關穩定性。采用寬禁帶半導體材料，可實現高頻工作與更低開關損耗，適合用于高密度電源系統、可再生能源逆變裝置及高性能直流變換電路中的核心開關元件，支持緊湊型散熱設計，提升整體系統能效與可靠性。
