IPA65R190C6XKSA1-HXY_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:20A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:160mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
本產品為N溝道碳化硅場效應管，具備650V的漏源電壓（VDSS）和20A的連續漏極電流（ID），導通電阻低至160mΩ，有助于減少導通損耗并提升系統效率。柵源電壓范圍為-5V至!6V，支持穩定的驅動控制。得益于碳化硅材料的高熱導率與高擊穿場強，該器件可在高頻、高溫及高壓條件下穩定運行，適用于高效開關電源、可再生能源發電系統、不間斷電源及高功率密度轉換裝置中的功率開關應用。
