IXFP18N65X2M-HXY_TO-220F_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:20A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:160mR 參數(shù)4：VGS:-5~+16V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET具有650V的漏源擊穿電壓（VDSS）和20A的連續(xù)漏極電流（ID）能力，導(dǎo)通電阻（RDS(on)）典型值為160mΩ，有助于降低導(dǎo)通損耗并提升能效。柵源電壓（VGS）支持-5V至!6V范圍，具備良好的驅(qū)動(dòng)兼容性與開關(guān)穩(wěn)定性。依托碳化硅材料的高耐壓、低反向恢復(fù)電荷特性，器件適用于高頻、高效率的電力轉(zhuǎn)換拓?fù)洌鏟FC電路、DC-AC逆變裝置及高功率密度電源模塊，可在嚴(yán)苛工作條件下實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的熱性能與系統(tǒng)可靠性。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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