R6511KNXC7G-HXY_TO-220F_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:15A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:260mR 參數(shù)4：VGS:-5~+16V 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本款N溝道碳化硅場效應(yīng)管具有650V漏源電壓（VDSS）和15A連續(xù)漏極電流（ID），導(dǎo)通電阻低至260mΩ，有助于減少導(dǎo)通損耗并提升系統(tǒng)效率。柵源電壓范圍為-5V至!6V，支持穩(wěn)定的柵極驅(qū)動控制，增強(qiáng)開關(guān)可靠性?；谔蓟璋雽?dǎo)體材料，具備優(yōu)異的高溫工作能力、高開關(guān)頻率特性和低開關(guān)損耗。適用于高功率密度電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)，如高效開關(guān)電源、直流-直流變換器、不間斷電源模塊及可再生能源發(fā)電中的逆變裝置，適合在高熱應(yīng)力與高頻運(yùn)行條件下穩(wěn)定工作的應(yīng)用場景。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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