MSJPF11N65A-BP-HXY_TO-220F_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:15A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:260mR 參數(shù)4：VGS:-5~+16V 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有650V的漏源擊穿電壓（VDSS）和15A的額定漏極電流（ID），導(dǎo)通電阻（RDON）為260mΩ，在高電壓工作條件下可有效降低導(dǎo)通損耗。柵源電壓（VGS）支持-5V至!6V范圍，確保開關(guān)動作的穩(wěn)定性與可靠性。基于碳化硅材料的優(yōu)異特性，器件具備出色的耐高溫性能和快速開關(guān)能力，適用于高效率電源轉(zhuǎn)換場景，如大功率開關(guān)電源、高壓DC-AC逆變裝置、可再生能源發(fā)電系統(tǒng)中的功率調(diào)節(jié)模塊以及高密度電源適配器，有助于提升系統(tǒng)能效與功率密度。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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