FCPF260N65FL1-F154-HXY_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:20A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:160mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備650V的漏源擊穿電壓（VDSS）和20A的持續漏極電流（ID）能力，導通電阻（RDON）低至160mΩ，可減少導通損耗。柵源電壓（VGS）支持-5V至!6V范圍，確保可靠的柵極控制與器件穩定性。基于碳化硅材料特性，該器件具有優異的耐高溫性能和快速開關能力，適用于高密度電源系統、高效直流變換裝置及高頻率功率轉換電路，有助于提升系統能效并減小散熱設計負擔，是先進電力電子應用中的關鍵功率開關元件。
