IPA60R280CFD7XKSA1-HXY_TO-220F_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:20A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:160mR 參數(shù)4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本款N溝道碳化硅MOSFET具備650V漏源電壓額定值（VDSS）和20A連續(xù)漏極電流（ID）能力，導通電阻（RDS(on)）低至160mΩ，可有效減少導通損耗，提升系統(tǒng)熱性能。柵源電壓范圍為-5V至!6V，確保驅(qū)動穩(wěn)定性與器件可靠性。依托碳化硅材料的高臨界電場與高熱導率特性，該器件支持高頻開關(guān)操作，具有較低的開關(guān)損耗和優(yōu)異的高溫工作表現(xiàn)，適用于高效率、高功率密度的電力電子系統(tǒng)，如大功率開關(guān)電源、可再生能源發(fā)電逆變裝置、儲能系統(tǒng)功率轉(zhuǎn)換級及高頻率DC-DC變換電路。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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