NTD250N65S3H-HXY_TO-252-2L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:20A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:160mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有650V的漏源擊穿電壓（VDSS）和20A的額定漏極電流（ID），導通電阻（RDON）低至160mΩ，可減少導通損耗，提升系統效率。柵源電壓范圍為-5V至!6V，支持可靠驅動與保護。采用碳化硅材料，具備優異的高頻開關性能、高溫穩定性和低開關損耗，適用于高功率密度電源轉換電路。典型應用包括高效開關電源、直流變換模塊、儲能系統中的逆變單元以及對熱管理和能效要求較高的電力電子裝置。
