AS2M040120P_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:60A 參數2：VDSS:1200V 參數3：RDON:40mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為1200V碳化硅N溝道場效應晶體管（MOSFET），具備60A的連續漏極電流能力及40mΩ的超低導通電阻。采用碳化硅半導體技術，顯著提升器件的導熱效率與開關性能，適用于高功率密度與高頻開關應用。其優異的耐高壓與低損耗特性，廣泛應用于高效能電源系統、新能源儲能、智能電網及精密電子設備中，滿足對效率與穩定性有嚴苛要求的電路設計方案。
