GC3M0021120K_TO-247-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:81A 參數2：VDSS:1200V 參數3：RDON:21mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為1200V高壓碳化硅N溝道場效應晶體管（MOSFET），具備優異的導通與開關性能。其最大漏極電流ID為81A，典型導通電阻RDON低至21mΩ，可有效降低導通損耗，提高系統效率。碳化硅材料的使用賦予器件更高的擊穿電壓、熱穩定性和開關速度，適用于高功率密度和高頻開關場景。該MOSFET可廣泛應用于高效電源轉換系統、可再生能源設備及精密電力電子裝置中，為復雜工況下的穩定運行提供保障。
