IMW120R040M1HXKSA1-HXY_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:87.5A 參數2：VDSS:1200V 參數3：RDON:39mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款碳化硅場效應管（MOSFET）為N溝道增強型器件，連續漏極電流可達87.5A，漏源擊穿電壓為1200V，具備高電壓和大電流承載能力，適用于高性能功率轉換場景。導通電阻為39mΩ，有助于降低導通損耗并提升系統效率。碳化硅材料賦予其優異的高溫穩定性、高頻特性和抗輻射能力，適合復雜電磁環境中的穩定運行。該器件可廣泛應用于高效電源、可再生能源系統、精密控制電路以及高可靠性電子設備中，滿足對性能與穩定性要求較高的設計需求。
