STD18N65M5-HXY_TO-252-2L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:20A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:160mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅場效應管具有650V漏源電壓（VDSS）和20A連續漏極電流（ID），導通電阻為160mΩ，有助于降低導通損耗并提升能效。柵源電壓范圍為-5V至!6V，支持穩定可靠的柵極驅動控制。基于碳化硅材料的特性，器件具備優異的高溫工作能力與快速開關性能，適用于高頻率、高效率的電力轉換應用。典型使用場景包括高壓直流變換器、不間斷電源系統、可再生能源發電設備中的逆變單元以及對功率密度和熱管理要求較高的緊湊型電子裝置。
