IPD65R380C6ATMA1-HXY_TO-252-2L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:15A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:260mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道碳化硅場效應管具有650V漏源電壓（VDSS）和15A連續漏極電流（ID）能力，導通電阻為260mΩ，有助于降低導通損耗，提升系統效率。柵源電壓范圍為-5V至!6V，支持標準驅動電路，確保開關動作的穩定性。依托碳化硅材料的高耐壓與低損耗特性，該器件適用于高頻開關電源、高效直流變換器及高功率密度電源模塊，能夠在較高結溫下可靠運行，適用于對能效和空間利用率有較高要求的電力轉換應用。
