IPAN60R210PFD7SXKSA1-HXY_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:20A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:160mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅場效應管具備650V的漏源電壓（VDSS）和20A的連續漏極電流（ID）能力，導通電阻低至160mΩ，適用于高效率功率轉換設計。其柵源電壓范圍為-5V至!6V，確保了驅動兼容性與可靠性。得益于碳化硅材料的特性，該器件在高頻開關應用中表現出色，可有效降低開關損耗與系統熱耗。典型應用場景包括高密度電源轉換、可再生能源發電系統中的直流變換模塊以及高要求的電力傳輸與分配設備。
