IPD65R250C6XTMA1-HXY_TO-252-2L_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:20A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:160mR 參數(shù)4：VGS:-5~+16V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本款N溝道碳化硅MOSFET具有650V的漏源電壓（VDSS）和20A的連續(xù)漏極電流（ID），導(dǎo)通電阻低至160mΩ，可顯著降低功率損耗。其柵源電壓范圍為-5V至!6V，支持穩(wěn)定的柵極驅(qū)動(dòng)與可靠的工作特性。碳化硅材料賦予器件優(yōu)異的高溫工作能力、快速開關(guān)速度和高耐壓性能。適用于高效率、高頻率的電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)，如大功率開關(guān)電源、可再生能源逆變裝置、儲(chǔ)能系統(tǒng)的能量管理模塊以及高功率密度電源設(shè)備，有助于提升系統(tǒng)能效，減小散熱需求，并支持緊湊型設(shè)計(jì)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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