FCPF360N65S3R0L-F154-HXY_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:15A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:260mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有650V的漏源擊穿電壓（VDSS）和15A的連續漏極電流（ID），導通電阻（RDS(on)）典型值為260mΩ，有助于降低導通損耗。柵源電壓范圍為-5V至!6V，支持可靠驅動控制。基于碳化硅材料特性，器件具備優異的高頻開關能力與高溫工作穩定性。適用于高效率電源轉換系統，如大功率開關電源、不間斷電源、儲能系統中的逆變電路，以及對功率密度和熱管理要求較高的緊湊型電力電子裝置。
