STF15NM65N-HXY_TO-220F_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:15A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:260mR 參數(shù)4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備650V漏源電壓（VDSS）和15A連續(xù)漏極電流（ID），導(dǎo)通電阻為260mΩ，有助于降低導(dǎo)通損耗。柵源電壓范圍為-5V至!6V，支持可靠的柵極驅(qū)動控制，提升開關(guān)穩(wěn)定性。采用碳化硅半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)異的高溫工作性能和快速開關(guān)特性，適用于高頻率、高效率的功率變換電路。典型應(yīng)用包括高效電源模塊、可再生能源發(fā)電系統(tǒng)、儲能設(shè)備中的逆變電路以及對熱管理與空間利用率要求較高的緊湊型電子裝置。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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