R6511KND3TL1-HXY_TO-252-2L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:15A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:260mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
本款N溝道碳化硅場效應管具有650V漏源電壓（VDSS）和15A連續漏極電流（ID），導通電阻為260mΩ，有助于降低導通損耗，提升系統能效。柵源電壓范圍為-5V至!6V，確保器件在驅動信號下的穩定關斷與導通。依托碳化硅材料的高耐壓與高熱導率特性，該器件支持高頻開關操作，具備優異的熱穩定性和耐久性。典型應用包括高效開關電源、不間斷電源系統、光伏逆變單元、高密度電源模塊及高壓直流變換裝置，適用于對轉換效率和功率密度有較高需求的電力電子設計場景。
